Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IPD110N12N3GATMA1 МОП-транзистор MV POWER MOS купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IPD110N12N3GATMA1 МОП-транзистор MV POWER MOS

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1370285

IPD110N12N3GATMA1 МОП-транзистор MV POWER MOS

МОП-транзистор MV POWER MOS

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокTO-252-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №G IPD110N12N3 SP001127808
Технология-
Pd - рассеивание мощности136 W
Время спада8 ns
Время нарастания16 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9.2 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток120 V
Id - непрерывный ток утечки75 A
Vgs - напряжение затвор-исток+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Qg - заряд затвора49 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.83 S
Типичное время задержки выключения24 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Канальный режимEnhancement