IPG20N10S4L35ATMA1 МОП-транзистор МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1370592
МОП-транзистор МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | PG-TDSON-8-4 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | IPG20N10 |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | IPG20N10S4L-35 IPG20N10S4L35XT SP000859022 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | - |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 2 ns |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 29 mOhms, 29 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V, 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A, 20 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Qg - заряд затвора | 13.4 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | - |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |