IRF630NSTRRPBF МОП-транзистор 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1371562
МОП-транзистор 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | D-PAK-3 |
| Торговая марка | International Rectifier |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 82 W |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 14 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.5 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V to 4 V |
| Qg - заряд затвора | 23.3 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.9 S |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.9 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |