IRF6623TRPBF МОП-транзистор 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
МОП-транзистор 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | DirectFET-3 |
Торговая марка | International Rectifier |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 4800 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 42 W |
Время спада | 4.5 ns |
Время нарастания | 40 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.7 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
Qg - заряд затвора | 11 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 34 S |
Типичное время задержки выключения | 12 ns |
Типичное время задержки при включении | 9.7 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |