IRF7413PBF МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOIC-8 |
Торговая марка | International Rectifier |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Размер фабричной упаковки | 95 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Время спада | 46 ns |
Время нарастания | 50 ns |
Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Qg - заряд затвора | 44 nC |
Типичное время задержки выключения | 52 ns |
Типичное время задержки при включении | 8.6 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |