IRFBG20PBF МОП-транзистор N-Chan 1000V 1.4 Amp
МОП-транзистор N-Chan 1000V 1.4 Amp
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | IRFBG20 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 54 W |
Время спада | 31 ns |
Время нарастания | 17 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 Ohms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1000 V |
Id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Типичное время задержки выключения | 58 ns |
Типичное время задержки при включении | 9.4 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |