IRFD120PBF МОП-транзистор 100V Single N-Channel HEXFET
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1372215
МОП-транзистор 100V Single N-Channel HEXFET
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | HVMDIP-4 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.3 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.8 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |