IRFH5110TRPBF МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1372266
МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | PQFN-8 |
| Торговая марка | International Rectifier |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 114 W |
| Время спада | 6.4 ns |
| Время нарастания | 9.6 ns |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.4 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 63 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.8 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |