IRFHM830TRPBF МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET PWR МОП-транзистор 3.8mOhms
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET PWR МОП-транзистор 3.8mOhms
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PQFN-8 |
Торговая марка | International Rectifier |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2.7 W |
Время спада | 9.2 ns |
Время нарастания | 25 ns |
Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Qg - заряд затвора | 31 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 52 S |
Типичное время задержки выключения | 13 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |