IRLR120NPBF МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1373706
МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Торговая марка | International Rectifier |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tube |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Время спада | 22 ns |
| Время нарастания | 35 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 265 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Qg - заряд затвора | 13.3 nC |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |