Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IXBT10N170 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IXBT10N170 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds

Производитель
IXYS

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1373940

IXBT10N170 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.40 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-268-3
Торговая маркаIXYS
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаTube
СерияIXBT10N170
Размер фабричной упаковки30
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеBIMOSFET
Вес изделия4.500 g
Pd - рассеивание мощности140 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C20 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V