IXFB80N50Q2 МОП-транзистор 80 Amps 500V 0.06 Rds
МОП-транзистор 80 Amps 500V 0.06 Rds
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PLUS-264-3 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | IXFB80N50 |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 960 W |
Время спада | 11 ns |
Время нарастания | 25 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Типичное время задержки выключения | 60 ns |
Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |