IXFH9N80Q МОП-транзистор 9 Amps 800V 1.1 Rds
МОП-транзистор 9 Amps 800V 1.1 Rds
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | IXFH9N80 |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Вес изделия | 6.500 g |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 180 W |
Время спада | 13 ns |
Время нарастания | 20 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.1 Ohms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Типичное время задержки выключения | 42 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |