IXFK20N120 МОП-транзистор 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
МОП-транзистор 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | IXFK20N120 |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Вес изделия | 10 g |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 780 W |
Время спада | 20 ns |
Время нарастания | 45 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 750 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Типичное время задержки выключения | 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |