IXFK220N17T2 МОП-транзистор GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1374237
МОП-транзистор GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Торговая марка | IXYS |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | IXFK220N17 |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | GigaMOS, HiperFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
| Время спада | 150 ns |
| Время нарастания | 160 ns |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.3 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 170 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 220 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 500 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 105 S |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 44 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |