Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IXFN26N100P МОП-транзистор 26 Amps 1000V 0.39 Rds купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IXFN26N100P МОП-транзистор 26 Amps 1000V 0.39 Rds

Производитель
IXYS

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1374362

IXFN26N100P МОП-транзистор 26 Amps 1000V 0.39 Rds

МОП-транзистор 26 Amps 1000V 0.39 Rds

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-227-4
Торговая маркаIXYS
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаTube
СерияIXFN26N100
Размер фабричной упаковки10
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеHyperFET
Вес изделия38 g
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности595 W
Время спада50 ns
Время нарастания45 ns
КонфигурацияSingle Dual Source
Rds Вкл - сопротивление сток-исток390 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток1000 V
Id - непрерывный ток утечки23 A
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Типичное время задержки выключения72 ns
Типичное время задержки при включении45 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel