IXFN60N80P МОП-транзистор DIODE Id54 BVdass800
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1374407
МОП-транзистор DIODE Id54 BVdass800
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Торговая марка | IXYS |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tube |
| Серия | IXFN60N80 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Вес изделия | 38 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1040 W |
| Время спада | 26 ns |
| Время нарастания | 29 ns |
| Конфигурация | Single Dual Source |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 53 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Типичное время задержки выключения | 110 ns |
| Типичное время задержки при включении | 36 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |