IXFN70N60Q2 МОП-транзистор 70 Amps 600V
МОП-транзистор 70 Amps 600V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Серия | IXFN70N60 |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Вес изделия | 38 g |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 890 W |
Время спада | 12 ns |
Время нарастания | 25 ns |
Конфигурация | Single Dual Source |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Типичное время задержки выключения | 60 ns |
Типичное время задержки при включении | 26 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |