IXFN90N30 МОП-транзистор 90 Amps 300V 0.033 Rds
МОП-транзистор 90 Amps 300V 0.033 Rds
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Серия | IXFN90N30 |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Вес изделия | 38 g |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 560 W |
Время спада | 40 ns |
Время нарастания | 55 ns |
Конфигурация | Single Dual Source |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Id - непрерывный ток утечки | 90 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 360 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |
Типичное время задержки выключения | 100 ns |
Типичное время задержки при включении | 42 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |