IXFP10N60P МОП-транзистор HiPERFET Id10 BVdass600
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1374424
МОП-транзистор HiPERFET Id10 BVdass600
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Торговая марка | IXYS |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | IXFP10N60 |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Вес изделия | 2.300 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Время спада | 21 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 740 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
| Типичное время задержки выключения | 65 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |