IXFT16N120P МОП-транзистор 16 Amps 1200V 1 Rds
МОП-транзистор 16 Amps 1200V 1 Rds
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-268-2 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Серия | IXFT16N120 |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
Вес изделия | 4.500 g |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 660 W |
Время спада | 35 ns |
Время нарастания | 28 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 950 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
Qg - заряд затвора | 120 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Типичное время задержки выключения | 66 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |