IXFT80N085 МОП-транзистор МОП-транзистор, INTR DIODE 85V, 80A
МОП-транзистор МОП-транзистор, INTR DIODE 85V, 80A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-268-2 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Серия | IXFT80N08 |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Вес изделия | 4.500 g |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Время спада | 31 ns |
Время нарастания | 75 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 85 V |
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Типичное время задержки выключения | 95 ns |
Типичное время задержки при включении | 50 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |