IXFT80N10Q МОП-транзистор 80 Amps 100V 0.015 Rds
МОП-транзистор 80 Amps 100V 0.015 Rds
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-268-2 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Серия | IXFT80N10 |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Вес изделия | 4.500 g |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 360 W |
Время спада | 30 ns |
Время нарастания | 70 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Типичное время задержки выключения | 68 ns |
Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |