IXGH56N60A3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | IXGH56N60 |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | GenX3 |
Pd - рассеивание мощности | 330 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |