Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IXGH60N60C3D1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IXGH60N60C3D1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V

Производитель
IXYS

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1374839

IXGH60N60C3D1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247-3
Торговая маркаIXYS
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
СерияIXGH60N60
Размер фабричной упаковки90
Минимальная рабочая температура- 55 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Коммерческое обозначениеGenX3
Pd - рассеивание мощности380 W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C75 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V