Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IXGN200N60B3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IXGN200N60B3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A

Производитель
IXYS

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1374877

IXGN200N60B3 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.1.2 kA

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-227B-4
Торговая маркаIXYS
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаBulk
СерияIXGN200N60
Размер фабричной упаковки10
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеGenX3
Вес изделия38 g
Pd - рассеивание мощности830 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C300 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V