IXTQ200N10T МОП-транзистор 200 Amps 100V 5.4 Rds
МОП-транзистор 200 Amps 100V 5.4 Rds
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3P-3 |
Торговая марка | IXYS |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | IXTQ200N10 |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вес изделия | 5.500 g |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 550 W |
Время спада | 34 ns |
Время нарастания | 31 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.5 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
Типичное время задержки выключения | 45 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |