Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
IXYH24N90C3D1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

IXYH24N90C3D1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode

Производитель
IXYS

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1375718

IXYH24N90C3D1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247-3
Торговая маркаIXYS
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеXPT
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C44 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V