JANTXV2N3019S Биполярные транзисторы - BJT JANTXV2N3019S
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1376564
Биполярные транзисторы - BJT JANTXV2N3019S
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 5 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |