JANTXV2N3700 Биполярные транзисторы - BJT JANTXV2N3700
Биполярные транзисторы - BJT JANTXV2N3700
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-18-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Размер фабричной упаковки | 338 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |