KSA1142OSTU Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-126 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | KSA1142 |
Размер фабричной упаковки | 1920 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вес изделия | 761 mg |
Pd - рассеивание мощности | 8000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 180 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 180 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.16 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 320 |