KSA1156OSTU Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-126 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | KSA1156 |
Размер фабричной упаковки | 1920 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вес изделия | 761 mg |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 400 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 500 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |