KSB1151YS Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1376780
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-126 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | KSB1151 |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 761 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 1300 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.14 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |