KSC2333YTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | KSC2333 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вес изделия | 1.800 g |
Pd - рассеивание мощности | 15 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |