KSC5338DTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Биполярные транзисторы - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | KSC5338 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | KSC5338DTU_NL |
Вес изделия | 1.800 g |
Pd - рассеивание мощности | 75 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1 kV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.35 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 11 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |