KSC5502DTM Биполярные транзисторы - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1376836
Биполярные транзисторы - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | KSC5502 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.2 kV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.31 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 11 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 14 |