KSC5502DTTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Trip Dif Planar Silicon Transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Trip Dif Planar Silicon Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-252 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Серия | KSC5502 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Вес изделия | 1.800 g |
Pd - рассеивание мощности | 50000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.2 kV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 11 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |