KSC5502TU Биполярные транзисторы - BJT NPN Planar Silicon
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1376838
Биполярные транзисторы - BJT NPN Planar Silicon
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | KSC5502 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Вес изделия | 1.800 g |
| Pd - рассеивание мощности | 50000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.2 kV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 190 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 15 |