KSD1616AGBU Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | KSD1616 |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | KSD1616AGBU_NL |
Вес изделия | 179 mg |
Pd - рассеивание мощности | 0.75 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 135 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |