KSD2012GTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1376858
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220F-3 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | KSD2012 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 2.270 g |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 320 |