KSD526YTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | KSD526 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | KSD526YTU_NL |
Вес изделия | 1.800 g |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.45 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 8 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |