KSE13003H2ASTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-126 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | KSE13003 |
Размер фабричной упаковки | 1920 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | KSE13003H2ASTU_NL |
Вес изделия | 761 mg |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |