KSE210STU Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1376885
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-126 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | KSE210 |
| Размер фабричной упаковки | 1920 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Вес изделия | 761 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 25 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 8 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1.8 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 65 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 45 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |