KSE350STU Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-126 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | KSE350 |
Размер фабричной упаковки | 1920 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | KSE350STU_NL |
Вес изделия | 761 mg |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 300 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 300 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |