KSH210TF Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-252 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | KSH210 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Вес изделия | 260.370 mg |
Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 25 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 8 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1.8 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 65 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 45 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |