KSP10BU Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | KSP10 |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | KSP10BU_NL |
Вес изделия | 179 mg |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 650 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |