KSP2907ABU Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | KSP2907 |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вес изделия | 179 mg |
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1.6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |