KST05MTF Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | KST05 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Вес изделия | 60 mg |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |