KST10MTF Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1376954
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | KST10 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Другие названия товара № | KST10MTF_NL |
| Вес изделия | 60 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 650 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |