KST55MTF Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1376970
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | KST55 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Вес изделия | 60 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 4 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |